应用案例

确保数据持久性:MRAM集成的RAID阵列应用于关键应用场景



RAID(Redundant Array of Inexpensive Disks)是一种结合了两个或多个物理存储设备(HDD、SSD)的数据存储结构,它在被连接的系统中,被转换成识别为单个驱动器的逻辑单元(阵列)。 


RAID控制卡的日志存储器存放重要数据,如日志和数据写入完成、奇偶校验写入、错误日志等。在断电的情况下,控制器查询日志内存,以了解从哪里开始恢复。

因此,日志内存中的数据即使在断电的情况下,也必须保留。电池供电的SRAM或nvSRAM主要被用作日志内存。  MRAM中存储的主要是系统元数据,RAID条带地址组合信息等,这类信息属于修改频繁,字节操作且不能丢失的信息,因此需要快速,非易失且能够小读小写的介质来存储。

MRAM是非易失性存储器,提供快速写入和实时数据存储,是RAID系统最理想的存储器。


MRAM的主要优势如下

· 迅速的读写速度
· 近乎无限的耐久性(100兆次的写入次数)
· 字节级可访问性容量更小,利用高效软件进行管理
· 减少程序更新时间,降低功耗(适合OTA)
· 保证突发断电时的安全,恢复时间短 
· 长期保存数据(10 年)

# Serial STT-MRAM  串口


容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb 
电源供应 :1.8V(1.71V~1.98V)或3.3V(2.7V~3.6V)
具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。
数据保存期 :10年
读取耐力 :无限
写入耐力 : 1014
无需外部ECC
工业标准引脚及封装 :8WSON、8SOP

Density Part Number Interfaces VDD(V) Frequency(MHz) SDR/DDR Temperature Package
1M bit S3A1004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
2M bit S3A2004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A2004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
4M bit S3A4004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A4004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
8M bit S3A8004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A8004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
16M bit S3A1604V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1604R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
32M bit S3A3204V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A3204R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP


# Parallel STT-MRAM 并口

容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb, 64Mb
电源供应 :1.8V(1.7V~1.95V)或3.3V(2.7V~3.6V)
Parallel 异步接口 x16/x8 I/O
数据保存期 :10年
读取耐力 :无限
擦写耐力 : 1014
无需外部ECC
封装 :48FBGA、44TSOP2、54TSOP2


Density Part Number Interfaces VDD(V) Frequency(MHz) SDR/DDR Temperature Package
1M bit S3A1004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
2M bit S3A2004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A2004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
4M bit S3A4004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A4004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
8M bit S3A8004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A8004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
16M bit S3A1604V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A1604R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
32M bit S3A3204V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
S3A3204R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108MHz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP

# MRAM 晶圆

KGD产品以晶圆形式交付,无需切割。

除标准存储器产品以外,Netsol还提供KGD(Known Good Die)内存产品。

KGD存储器可以简化系统设计并减小器件尺寸,是芯片组供应商向客户提供系统级封装 (SiP) 解决方案时最受欢迎的方案。 

Netsol的KGD 内存产品具有与单独产品相同的质量及性能特征。

两种类型的产品皆在使用相同的生产和测试程序进行严格验证后获得认证。

* 所有 SPIMRAM和PPIMRAM产品都以KGD选项交付。
* 专门技术支持团队支持KGD客户的特定需求


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